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BYV26B-TR

BYV26B-TR

僅供參考

型號 BYV26B-TR
PNEDA編號 BYV26B-TR
描述 DIODE AVALANCHE 400V 1A SOD57
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,110
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV26B-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV26B-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYV26B-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Avalanche
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.5V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱SOD-57, Axial
供應商設備包裝SOD-57
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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12000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

12V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 12000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SR006 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

ON Semiconductor

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 470A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

DO-205AA, DO-8, Stud

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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