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BYV29B-400-E3/81

BYV29B-400-E3/81

僅供參考

型號 BYV29B-400-E3/81
PNEDA編號 BYV29B-400-E3-81
描述 DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 4,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
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BYV29B-400-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV29B-400-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYV29B-400-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.45V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

760mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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