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BYV30W-600PQ

BYV30W-600PQ

僅供參考

型號 BYV30W-600PQ
PNEDA編號 BYV30W-600PQ
描述 DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV30W-600PQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV30W-600PQ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BYV30W-600PQ, BYV30W-600PQ數據表 (總頁數: 10, 大小: 401.94 KB)
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BYV30W-600PQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247-2
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

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570mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 30V

電容@ Vr,F

330pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 650V

電容@ Vr,F

300pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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