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BYV415K-600PQ

BYV415K-600PQ

僅供參考

型號 BYV415K-600PQ
PNEDA編號 BYV415K-600PQ
描述 DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV415K-600PQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV415K-600PQ
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
BYV415K-600PQ, BYV415K-600PQ數據表 (總頁數: 12, 大小: 228.35 KB)
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BYV415K-600PQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)15A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.1V @ 15A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)45ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 30V

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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