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BYV430J-600PQ

BYV430J-600PQ

僅供參考

型號 BYV430J-600PQ
PNEDA編號 BYV430J-600PQ
描述 DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYV430J-600PQ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYV430J-600PQ
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
BYV430J-600PQ, BYV430J-600PQ數據表 (總頁數: 10, 大小: 271.33 KB)
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BYV430J-600PQ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)30A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)90ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 600V
工作溫度-結點175°C (Max)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

3.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

530mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 40V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

12.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

470mV @ 12.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

135A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1600V

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

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工作溫度-結點

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