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BYWE29-200-E3/45

BYWE29-200-E3/45

僅供參考

型號 BYWE29-200-E3/45
PNEDA編號 BYWE29-200-E3-45
描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BYWE29-200-E3/45資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BYWE29-200-E3/45
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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BYWE29-200-E3/45規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 20A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F45pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.42V @ 3140A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

10µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AB, B-PUK

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 45V

電容@ Vr,F

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