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BZD27C9V1P-E3-08

BZD27C9V1P-E3-08

僅供參考

型號 BZD27C9V1P-E3-08
PNEDA編號 BZD27C9V1P-E3-08
描述 DIODE ZENER 800MW SMF DO219
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,885
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZD27C9V1P-E3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZD27C9V1P-E3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZD27C9V1P-E3-08, BZD27C9V1P-E3-08數據表 (總頁數: 8, 大小: 133.77 KB)
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BZD27C9V1P-E3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, BZD27C
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差-
功率-最大800mW
阻抗(最大值)(閽zt)4 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝DO-219AB (SMF)

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公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 130V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

DO-219AB (SMF)

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

200V

公差

±2%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

480 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 144V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

T-18

1N2994A

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

45V

公差

±5%

功率-最大

10W

阻抗(最大值)(閽zt)

13 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 2A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-213AA

1EZ190D5E3/TR12

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

190V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.7 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 144.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±1%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AB, MELF (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AB (MELF, LL41)

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