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BZG05C33-HE3-TR

BZG05C33-HE3-TR

僅供參考

型號 BZG05C33-HE3-TR
PNEDA編號 BZG05C33-HE3-TR
描述 DIODE ZENER 33V 1.25W DO214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 6,768
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZG05C33-HE3-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZG05C33-HE3-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZG05C33-HE3-TR, BZG05C33-HE3-TR數據表 (總頁數: 5, 大小: 93.69 KB)
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BZG05C33-HE3-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±5%
功率-最大1.25W
阻抗(最大值)(閽zt)35 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 24V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 10.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35 (DO-204AH)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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功率-最大

500mW

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11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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