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BZM55B51-TR3

BZM55B51-TR3

僅供參考

型號 BZM55B51-TR3
PNEDA編號 BZM55B51-TR3
描述 DIODE ZENER 500MW MICROMELF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZM55B51-TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZM55B51-TR3
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZM55B51-TR3, BZM55B51-TR3數據表 (總頁數: 7, 大小: 122.53 KB)
PDFBZM55B12-TR數據表 封面
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BZM55B51-TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)51V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)700 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 39V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝MicroMELF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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Surface Mount

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

270V

公差

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功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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4.3V

公差

±3%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

180 Ohms

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