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BZT52B3V6-G RHG

BZT52B3V6-G RHG

僅供參考

型號 BZT52B3V6-G RHG
PNEDA編號 BZT52B3V6-G-RHG
描述 DIODE ZENER 3.6V 410MW SOD123
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52B3V6-G RHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52B3V6-G RHG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52B3V6-G RHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.6V
公差±2%
功率-最大410mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

33 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

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380 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 91.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

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阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

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95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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