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BZT52B3V6S RRG

BZT52B3V6S RRG

僅供參考

型號 BZT52B3V6S RRG
PNEDA編號 BZT52B3V6S-RRG
描述 DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323F
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52B3V6S RRG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52B3V6S RRG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52B3V6S RRG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.6V
公差±2%
功率-最大200mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr4.5µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-90, SOD-323F
供應商設備包裝SOD-323F

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公差

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功率-最大

550mW

阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 27.3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-90, SOD-323F

供應商設備包裝

SOD-323F

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40nA @ 20V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 8.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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