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BZT52B62-HE3-08

BZT52B62-HE3-08

僅供參考

型號 BZT52B62-HE3-08
PNEDA編號 BZT52B62-HE3-08
描述 DIODE ZENER 62V 410MW SOD123
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,284
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52B62-HE3-08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52B62-HE3-08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT52B62-HE3-08, BZT52B62-HE3-08數據表 (總頁數: 8, 大小: 140.6 KB)
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BZT52B62-HE3-08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)62V
公差±2%
功率-最大410mW
阻抗(最大值)(閽zt)150 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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電壓-齊納(額定)(Vz)

36V

公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3.9V

公差

±1%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

23 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

±2%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 72V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 76V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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