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BZT52C4V3-G RHG

BZT52C4V3-G RHG

僅供參考

型號 BZT52C4V3-G RHG
PNEDA編號 BZT52C4V3-G-RHG
描述 DIODE ZENER 4.3V 350MW SOD123
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52C4V3-G RHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52C4V3-G RHG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52C4V3-G RHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)4.3V
公差±5%
功率-最大350mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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Taiwan Semiconductor Corporation

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

90 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

160V

公差

±5%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

700 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 121.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

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11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 8.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

BZT55C3V9 L1G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

3.9V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

85 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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