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BZT55B30 L1G

BZT55B30 L1G

僅供參考

型號 BZT55B30 L1G
PNEDA編號 BZT55B30-L1G
描述 DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55B30 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55B30 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT55B30 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 22V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

600 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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阻抗(最大值)(閽zt)

14 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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阻抗(最大值)(閽zt)

75 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 27V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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