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BZT55B33-GS08

BZT55B33-GS08

僅供參考

型號 BZT55B33-GS08
PNEDA編號 BZT55B33-GS08
描述 DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,956
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55B33-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55B33-GS08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55B33-GS08, BZT55B33-GS08數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55B33-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 24V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 22.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.1V

公差

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功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

3.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

62V

公差

±10%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

125 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 47.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±2%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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