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BZT55B3V3-GS18

BZT55B3V3-GS18

僅供參考

型號 BZT55B3V3-GS18
PNEDA編號 BZT55B3V3-GS18
描述 DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 9 - 十一月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55B3V3-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55B3V3-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55B3V3-GS18, BZT55B3V3-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55B3V3-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.3V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 62.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

65 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 14V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

工作溫度

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