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BZT55C3V6-GS18

BZT55C3V6-GS18

僅供參考

型號 BZT55C3V6-GS18
PNEDA編號 BZT55C3V6-GS18
描述 DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $24.8238
100 ---------- $23.6602
250 ---------- $22.4966
500 ---------- $21.3330
750 ---------- $20.3633
1,000 ---------- $19.3936
庫存 5,324
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55C3V6-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55C3V6-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55C3V6-GS18, BZT55C3V6-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55C3V6-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.6V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 137V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 18.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 44.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 11.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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