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BZT55C9V1 L1G

BZT55C9V1 L1G

僅供參考

型號 BZT55C9V1 L1G
PNEDA編號 BZT55C9V1-L1G
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55C9V1 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55C9V1 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT55C9V1 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)10 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 6.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

19 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 18.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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8.7V

公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

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制造商

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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