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BZV55C18 L1G

BZV55C18 L1G

僅供參考

型號 BZV55C18 L1G
PNEDA編號 BZV55C18-L1G
描述 DIODE ZENER 18V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZV55C18 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZV55C18 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZV55C18 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)50 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 13V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

24V

公差

±5%

功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

13 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 18.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 16.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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