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BZX55B12-TAP

BZX55B12-TAP

僅供參考

型號 BZX55B12-TAP
PNEDA編號 BZX55B12-TAP
描述 DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 208,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B12-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B12-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B12-TAP, BZX55B12-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B12-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 34.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

2W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 4.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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