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BZX55B12-TR

BZX55B12-TR

僅供參考

型號 BZX55B12-TR
PNEDA編號 BZX55B12-TR
描述 DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B12-TR資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B12-TR
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B12-TR, BZX55B12-TR數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B12-TR規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 12.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

160V

公差

-

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 120V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 500mA

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 18.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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阻抗(最大值)(閽zt)

11 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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DO-35

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