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BZX55B6V8-TAP

BZX55B6V8-TAP

僅供參考

型號 BZX55B6V8-TAP
PNEDA編號 BZX55B6V8-TAP
描述 DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.7077
500 ---------- $0.6745
1,000 ---------- $0.6414
2,500 ---------- $0.6082
5,000 ---------- $0.5805
10,000 ---------- $0.5529
庫存 3,897
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B6V8-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B6V8-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B6V8-TAP, BZX55B6V8-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B6V8-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)6.8V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)8 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 3V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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22V

公差

±2%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

29 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 17V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

22V

公差

±5%

功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 17V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

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1005

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制造商

Comchip Technology

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

200V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

480 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 152V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

400mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 700mV

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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公差

±2%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

80 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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