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BZX84C12LT1

BZX84C12LT1

僅供參考

型號 BZX84C12LT1
PNEDA編號 BZX84C12LT1
描述 DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX84C12LT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX84C12LT1
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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BZX84C12LT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±5%
功率-最大250mW
阻抗(最大值)(閽zt)25 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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阻抗(最大值)(閽zt)

140 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 56V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

Axial

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

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功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

16 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 11V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

110 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 42.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

14 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

40nA @ 12.3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

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-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

43V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

93 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 33V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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