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BZX84C18ET1G

BZX84C18ET1G

僅供參考

型號 BZX84C18ET1G
PNEDA編號 BZX84C18ET1G
描述 DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX84C18ET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX84C18ET1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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BZX84C18ET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差±6%
功率-最大225mW
阻抗(最大值)(閽zt)45 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr50nA @ 12.6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

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4.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 42.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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Surface Mount

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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