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BZX85B33-TAP

BZX85B33-TAP

僅供參考

型號 BZX85B33-TAP
PNEDA編號 BZX85B33-TAP
描述 DIODE ZENER 33V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $1.0566
500 ---------- $1.0071
1,000 ---------- $0.9576
2,500 ---------- $0.9081
5,000 ---------- $0.8668
10,000 ---------- $0.8255
庫存 163,298
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85B33-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85B33-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85B33-TAP, BZX85B33-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85B33-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)33V
公差±2%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)35 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 24V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

300 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 110V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

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功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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6 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 20.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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Surface Mount

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阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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