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BZX85C3V9-TAP

BZX85C3V9-TAP

僅供參考

型號 BZX85C3V9-TAP
PNEDA編號 BZX85C3V9-TAP
描述 DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $1.2477
500 ---------- $1.1893
1,000 ---------- $1.1308
2,500 ---------- $1.0723
5,000 ---------- $1.0235
10,000 ---------- $0.9748
庫存 1,681
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85C3V9-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85C3V9-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85C3V9-TAP, BZX85C3V9-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85C3V9-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±5%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)15 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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阻抗(最大值)(閽zt)

36 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.2 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 69.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

14 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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