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C3M0120090J

C3M0120090J

僅供參考

型號 C3M0120090J
PNEDA編號 C3M0120090J
描述 MOSFET N-CH 900V 22A
制造商 Cree/Wolfspeed
單價 請求報價
庫存 25,476
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

C3M0120090J資源

品牌 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
制造商零件編號C3M0120090J
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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C3M0120090J規格

制造商Cree/Wolfspeed
系列C3M™
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)15V
Rds On(Max)@ Id,Vgs155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 3mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17.3nC @ 15V
Vgs(最大)+18V, -8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds350pF @ 600V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK-7
包裝/箱TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1Ohm @ 1.55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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