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CAT24M01WI-GT3

CAT24M01WI-GT3 CAT24M01WI-GT3

僅供參考

型號 CAT24M01WI-GT3
PNEDA編號 CAT24M01WI-GT3
描述 IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,549
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAT24M01WI-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAT24M01WI-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAT24M01WI-GT3, CAT24M01WI-GT3數據表 (總頁數: 14, 大小: 366.53 KB)
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CAT24M01WI-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率1MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間400ns
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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*

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-VFBGA

供應商設備包裝

48-VFBGA (6x8)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

72Kb (8K x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

68-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

68-PLCC (24.21x24.21)

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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