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CAT25020VI-GT3

CAT25020VI-GT3

僅供參考

型號 CAT25020VI-GT3
PNEDA編號 CAT25020VI-GT3
描述 IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 46,974
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAT25020VI-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAT25020VI-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAT25020VI-GT3, CAT25020VI-GT3數據表 (總頁數: 14, 大小: 308.41 KB)
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CAT25020VI-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ns

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10ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (32K x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

83MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.63V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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