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CAT25080VI-GT3

CAT25080VI-GT3

僅供參考

型號 CAT25080VI-GT3
PNEDA編號 CAT25080VI-GT3
描述 IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 106,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAT25080VI-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAT25080VI-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAT25080VI-GT3, CAT25080VI-GT3數據表 (總頁數: 15, 大小: 312.83 KB)
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CAT25080VI-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (32M x 9)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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