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CAV25080VE-GT3

CAV25080VE-GT3

僅供參考

型號 CAV25080VE-GT3
PNEDA編號 CAV25080VE-GT3
描述 IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAV25080VE-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAV25080VE-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAV25080VE-GT3, CAV25080VE-GT3數據表 (總頁數: 15, 大小: 312.83 KB)
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CAV25080VE-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率20MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

80ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

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