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CBR2-L080M

CBR2-L080M

僅供參考

型號 CBR2-L080M
PNEDA編號 CBR2-L080M
描述 BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A B-M
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CBR2-L080M資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CBR2-L080M
類別半導體二極管與整流器橋式整流器
數據表
CBR2-L080M, CBR2-L080M數據表 (總頁數: 4, 大小: 933.31 KB)
PDFCBR2-L020M數據表 封面
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CBR2-L080M規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Single Phase
技術Standard
電壓-反向峰值(最大值)800V
電流-平均整流(Io)2A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 2A
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱4-SIP
供應商設備包裝B-M

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 4A

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-反向峰值(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 7.5A

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

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技術

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電壓-反向峰值(最大值)

1kV

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 17.5A

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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