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CBS10S40,L3F

CBS10S40,L3F

僅供參考

型號 CBS10S40,L3F
PNEDA編號 CBS10S40-L3F
描述 DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,806
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CBS10S40資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CBS10S40,L3F
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CBS10S40規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)40V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果550mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr150µA @ 40V
電容@ Vr,F120pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝CST2B
工作溫度-結點125°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

4A

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1.8V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

42ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 30V

電容@ Vr,F

590pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

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1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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