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CDBJFSC8650-G

CDBJFSC8650-G

僅供參考

型號 CDBJFSC8650-G
PNEDA編號 CDBJFSC8650-G
描述 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 14,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDBJFSC8650-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDBJFSC8650-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CDBJFSC8650-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)8A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 650V
電容@ Vr,F560pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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400mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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45V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 20A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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