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CDZT2RA6.8B

CDZT2RA6.8B

僅供參考

型號 CDZT2RA6.8B
PNEDA編號 CDZT2RA6-8B
描述 DIODE ZENER 6.8V 100MW VMN2
制造商 Rohm Semiconductor
單價
1 ---------- $12.0097
100 ---------- $11.4468
250 ---------- $10.8838
500 ---------- $10.3209
750 ---------- $9.8517
1,000 ---------- $9.3826
庫存 40,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDZT2RA6.8B資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDZT2RA6.8B
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
CDZT2RA6.8B, CDZT2RA6.8B數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,155.3 KB)
PDFCDZT2R6.8B數據表 封面
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CDZT2RA6.8B規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)6.8V
公差±2%
功率-最大100mW
阻抗(最大值)(閽zt)40 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 3.5V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-923
供應商設備包裝VMN2

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系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

39V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

130 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 30V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

56V

公差

±2%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

110 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 42.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

JANTX1N4108DUR-1

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制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/435

電壓-齊納(額定)(Vz)

14V

公差

±1%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 10.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AA

KDZTR20B

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

20.8V

公差

±6%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123F

供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

±5%

功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

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