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CLS03(TE16L,DNSO,Q

CLS03(TE16L,DNSO,Q

僅供參考

型號 CLS03(TE16L,DNSO,Q
PNEDA編號 CLS03-TE16L-DNSO-Q
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 10A L-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CLS03(TE16L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CLS03(TE16L,DNSO,Q
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CLS03(TE16L, CLS03(TE16L數據表 (總頁數: 5, 大小: 218.92 KB)
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CLS03(TE16L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)10A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果0.58V @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr1mA @ 60V
電容@ Vr,F345pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱L-FLAT™
供應商設備包裝L-FLAT™ (4x5.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 600V

電容@ Vr,F

110pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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1.1V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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30V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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