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CMF03(TE12L,Q,M)

CMF03(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 CMF03(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 CMF03-TE12L-Q-M
描述 DIODE GEN PURP 900V 500MA M-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMF03(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMF03(TE12L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CMF03(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)900V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.5V @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)100ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 900V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-128
供應商設備包裝M-FLAT (2.4x3.8)
工作溫度-結點-40°C ~ 125°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

2500A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 9A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

100pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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