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CMLDM5757 TR

CMLDM5757 TR

僅供參考

型號 CMLDM5757 TR
PNEDA編號 CMLDM5757-TR
描述 MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 28,560
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMLDM5757 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMLDM5757 TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
CMLDM5757 TR, CMLDM5757 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 1,082.13 KB)
PDFCMLDM5757 TR數據表 封面
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CMLDM5757 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)430mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds175pF @ 16V
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1082pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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