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CMPTH10 BK

CMPTH10 BK

僅供參考

型號 CMPTH10 BK
PNEDA編號 CMPTH10-BK
描述 RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPTH10 BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPTH10 BK
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPTH10 BK, CMPTH10 BK數據表 (總頁數: 4, 大小: 462.47 KB)
PDFCMPTH10 BK數據表 封面
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CMPTH10 BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

9dB

功率-最大

87.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

2.6A

工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

14dB ~ 26dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

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100mA

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