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CMPTH10 TR

CMPTH10 TR

僅供參考

型號 CMPTH10 TR
PNEDA編號 CMPTH10-TR
描述 RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,820
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPTH10 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPTH10 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPTH10 TR, CMPTH10 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 462.47 KB)
PDFCMPTH10 BK數據表 封面
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CMPTH10 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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增益

-

功率-最大

32mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500µA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.5mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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功率-最大

1.3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz

增益

9dB ~ 12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

增益

12.5dB ~ 26.5dB

功率-最大

230mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

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