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CMPTH81 TR

CMPTH81 TR

僅供參考

型號 CMPTH81 TR
PNEDA編號 CMPTH81-TR
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 22 - 二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPTH81 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPTH81 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPTH81 TR, CMPTH81 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 478.89 KB)
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CMPTH81 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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增益

6.2db ~ 7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C (TJ)

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Chassis Mount

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6.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

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5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

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Surface Mount

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