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CMPTH81 TR

CMPTH81 TR

僅供參考

型號 CMPTH81 TR
PNEDA編號 CMPTH81-TR
描述 RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPTH81 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPTH81 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CMPTH81 TR, CMPTH81 TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 478.89 KB)
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CMPTH81 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大225mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

80W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1.5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-422A

供應商設備包裝

CDFM2

TAN250A

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.2db ~ 7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55AW

供應商設備包裝

55AW

JANTX2N2857

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/343

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

500MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

增益

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-72-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

11dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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