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CMS05(TE12L,Q,M)

CMS05(TE12L,Q,M) CMS05(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 CMS05(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 CMS05-TE12L-Q-M
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $34.3610
100 ---------- $32.7503
250 ---------- $31.1396
500 ---------- $29.5290
750 ---------- $28.1867
1,000 ---------- $26.8445
庫存 3,440
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMS05(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMS05(TE12L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CMS05(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果450mV @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr800µA @ 30V
電容@ Vr,F330pF @ 10V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-128
供應商設備包裝M-FLAT (2.4x3.8)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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400V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

170pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.33V @ 471A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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