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CMZ16(TE12L,Q,M)

CMZ16(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 CMZ16(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 CMZ16-TE12L-Q-M
描述 X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,664
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMZ16(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMZ16(TE12L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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CMZ16(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)16V
公差±10%
功率-最大2W
阻抗(最大值)(閽zt)30 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 11V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 200mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-128
供應商設備包裝M-FLAT (2.4x3.8)

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

170 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 86.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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9.1V

公差

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功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

11V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

22 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 8.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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160 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 62.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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供應商設備包裝

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