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CN648 TR

CN648 TR

僅供參考

型號 CN648 TR
PNEDA編號 CN648-TR
描述 DIODE GP 500V 400MA DO-41SP
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CN648 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CN648 TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CN648 TR, CN648 TR數據表 (總頁數: 6, 大小: 291.55 KB)
PDFCN645 BK數據表 封面
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CN648 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)500V
電流-平均整流(Io)400mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 400mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr200nA @ 500V
電容@ Vr,F11pF @ 12V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.43V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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400V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1000V

電容@ Vr,F

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150V

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820mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

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