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CP647-MJ11013-WS

CP647-MJ11013-WS

僅供參考

型號 CP647-MJ11013-WS
PNEDA編號 CP647-MJ11013-WS
描述 TRANS PNP DARL 30A 90V DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP647-MJ11013-WS資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP647-MJ11013-WS
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CP647-MJ11013-WS規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)90V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 300mA, 30A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30A, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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