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CP647-MJ11015-CTJ28

CP647-MJ11015-CTJ28

僅供參考

型號 CP647-MJ11015-CTJ28
PNEDA編號 CP647-MJ11015-CTJ28
描述 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP647-MJ11015-CTJ28資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP647-MJ11015-CTJ28
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CP647-MJ11015-CTJ28規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 300mA, 30A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30A, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

430mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 50mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 100mA, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

230 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 500mA

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