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CPC3708CTR

CPC3708CTR

僅供參考

型號 CPC3708CTR
PNEDA編號 CPC3708CTR
描述 MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89
制造商 IXYS Integrated Circuits Division
單價 請求報價
庫存 6,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPC3708CTR資源

品牌 IXYS Integrated Circuits Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPC3708CTR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
CPC3708CTR, CPC3708CTR數據表 (總頁數: 6, 大小: 125.44 KB)
PDFCPC3708ZTR數據表 封面
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CPC3708CTR規格

制造商IXYS Integrated Circuits Division
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)350V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-0.35V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14Ohm @ 50mA, 350mV
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)1.1W (Ta)
工作溫度-40°C ~ 110°C (TA)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-89
包裝/箱TO-243AA

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55V

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75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5579pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

446W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 490µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1819pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

122W (Tc)

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功耗(最大值)

28W (Tc)

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