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CPH5518-TL-H

CPH5518-TL-H

僅供參考

型號 CPH5518-TL-H
PNEDA編號 CPH5518-TL-H
描述 TRANS NPN/PNP 80V/50V 1A 5CPH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,044
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH5518-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH5518-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
CPH5518-TL-H, CPH5518-TL-H數據表 (總頁數: 8, 大小: 397.39 KB)
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CPH5518-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP (Emitter Coupled)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V, 50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic190mV @ 10mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大1.2W
頻率-過渡420MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝5-CPH

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW, 210mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

功率-最大

-

頻率-過渡

900MHz

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

350 @ 2mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

150 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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