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CPH6636R-TL-W

CPH6636R-TL-W

僅供參考

型號 CPH6636R-TL-W
PNEDA編號 CPH6636R-TL-W
描述 MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 145,074
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6636R-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6636R-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
CPH6636R-TL-W, CPH6636R-TL-W數據表 (總頁數: 5, 大小: 320.76 KB)
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CPH6636R-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)24V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs20mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大900mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-CPH

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.45nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

32pF @ 25V

功率-最大

580mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 25V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13.5pF @ 15V

功率-最大

125mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

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