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CPV362M4F

CPV362M4F

僅供參考

型號 CPV362M4F
PNEDA編號 CPV362M4F
描述 IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPV362M4F資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPV362M4F
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
CPV362M4F, CPV362M4F數據表 (總頁數: 9, 大小: 230.8 KB)
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CPV362M4F規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)8.8A
功率-最大23W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.66V @ 15V, 8.8A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.34nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

VS-GT140DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

652W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

SOT-227

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.9nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

MiniPack2

供應商設備包裝

MiniPack2

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Dual, Common Source

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

FS25R12W1T4BOMA1

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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